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比西数还牛的96层QLC闪存单微电路就有2,三星(Samsung卡塔尔国公布年内推32TB型超声确诊大S(Barbie HsuState of QatarSD

2020年4月22日 - www.2138.com

www.2138.com,IT之家7月25日消息
根据HKEPC的消息,三星在日本宣布已正式量产90堆叠层数的第5代V-NAND,单芯片容量达到
1TB,同时将会在今年内推出32TB容量的TLC NAND SSD。

比西数还牛的96层QLC闪存单微电路就有2,三星(Samsung卡塔尔国公布年内推32TB型超声确诊大S(Barbie HsuState of QatarSD。IT之家7月20日消息上午西数刚刚宣布96层QLC闪存,东芝这也紧随其后,立马宣布了自家的QLC闪存。东芝的96层QLC闪存用的和西数一样的技术,但是由于东芝高超的封装技术,东芝单张闪存芯片容量可以达到2.66TB。

据报道,三星容量 1TB的单芯片颗粒可达到1.2GB每秒读取速度,采用M.3
规格,相比M.2 SSD更宽,好处是可以并排放下两组NAND
Flash,有助于提高储存容量。

东芝是NAND闪存的发明人,还是最早开发3D
NAND闪存的,同时也是闪存芯片公司中第一个讨论QLC闪存的。东芝的QLC闪存规格西数的是一样——准确来说是西数的QLC闪存跟东芝一样的,使用的都是东芝的BiCS
4技术,96层堆栈,这次的QLC闪存核心容量是1.33Tb,比之前美光、英特尔公布的1Tb核心大了33%。

IT之家之前曾报道,东芝的96层QLC闪存单张闪存芯片容量可以达到2.66TB。基于1.33Tb核心的QLC闪存,东芝开发出了16核心的单芯片闪存,一颗闪存的容量就有2.66TB,现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量,是之前的5倍多。

基于1.33Tb核心的QLC闪存,东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存,一颗闪存的容量就有2.66TB,现在QLC闪存的帮助下单芯片封装实现了2.66TB的容量,是之前的5倍多。

另外,根据统计机构的数据,在保持目前的普及增长率的同时,SSD的出货量将会在2020年超越HDD,在未来四年内,SSD的销售量将以每年平均20.7%的速度增长,对HDD硬盘的需求将每年减少7.3%。

西数目前已经出样,今年量产,首发于闪迪SSD硬盘中,但东芝比西数慢一些,今年9月份才开始出样给SSD硬盘及主控厂商,用于评估及开发,2019年才开始批量生产。

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